YCL50-A磁控濺射與離子束結(jié)合系統(tǒng)

◆設(shè)備用途

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜、鐵磁膜和磁性薄膜等的制備。可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子及新材料領(lǐng)域。

◆設(shè)備組成

系統(tǒng)主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺、 Kaufman 離子槍、四工位轉(zhuǎn)靶、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺等部分組成。

◆技術(shù)指標(biāo)

極限真空度：≤6.67×10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；停機(jī)12小時≤5Pa.

系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，45分鐘可達(dá)到6.67×10-4Pa；

系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、安裝機(jī)臺及電控系統(tǒng)等部分組成。

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