哈爾濱高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PVD400

高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PVD400

高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PVD40

◆真空室結(jié)構(gòu)：方形前開(kāi)門(mén)

◆真空室尺寸：φ500x500x500mm

◆極限真空度：≤3.0E-5Pa

◆沉積源：永磁靶4套，φ2英寸

◆樣品尺寸，溫度：φ4英寸，1片，最高800℃

◆占地面積（長(zhǎng)x寬x高）：約2米×1.7米×2米

◆電控描述：全自動(dòng)

◆工藝：片內(nèi)膜厚

◆均勻性：≤±3%

◆特色：根據(jù)客戶需求自由轉(zhuǎn)換，自動(dòng)化，集成化，人性化操作任意設(shè)備均可定制成一體機(jī)

◆產(chǎn)品概述：本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)領(lǐng)先的軟件控制系統(tǒng)。

◆設(shè)備特點(diǎn)：本設(shè)備是一個(gè)鍍膜平臺(tái)，可把磁控靶拆下?lián)Q電子槍成為電子束鍍膜系統(tǒng)、或換蒸發(fā)源作為熱蒸發(fā)系統(tǒng)、或換上離子槍作為離子束鍍膜系統(tǒng)等。

◆設(shè)備用途：用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

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