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磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)程中，等離子體的離子碰擊靶材，濺射出靶材的原子、原子團(tuán)、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團(tuán)沉積到基材上構(gòu)成薄膜。
濺射發(fā)生在靶材外表，靶材外表物理狀況不均勻也沒有關(guān)系，濺射的時(shí)分會(huì)先濺射凸起，濺射時(shí)間長了，靶材自己就平了。所以物理不均勻的狀況不需要拋光。
濺射進(jìn)程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì)，所以假如是外表簡單蛻變的靶材，假如不拋光去除外表蛻變部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是外表蛻變的雜質(zhì)。
有一部分靶材在安裝之前需要拋光，比方鋁靶材等活性金屬靶材，長期暴露在大氣中，外表簡單構(gòu)成一層氧化皮，在直流脈沖、中頻濺射進(jìn)程中，離子碰擊的能量不足以破壞氧化皮，所以一般在濺射的時(shí)分進(jìn)行物理拋光。
一般靶材拋光后，濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定，簡單控制。
所以結(jié)論就是，活性金屬靶材要求外表拋光，不生動(dòng)金屬靶材不一定非要求外表拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。
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