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磁控濺射系統(tǒng)的作業(yè)原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片進程中與氬原子產(chǎn)生磕碰，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰ji靶，并以高能量炮擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子堆積在基片上構(gòu)成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會遭到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線方式在靶表面做圓周運動，它們的運動途徑不只很長，并且被束縛在接近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出很多的Ar 來炮擊靶材，然后完成了高的堆積速率。隨著磕碰次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐步遠離靶表面，并在電場E的作用下究竟堆積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
磁控濺射系統(tǒng)是入射粒子和靶的磕碰進程。入射粒子在靶中經(jīng)歷雜亂的散射進程，和靶原子磕碰，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子磕碰，構(gòu)成級聯(lián)進程。在這種級聯(lián)進程中某些表面鄰近的靶原子獲得向外運動的滿足動量，脫離靶被濺射出來。
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