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北京CKG-60三靶共濺薄膜制備系統(tǒng)

所屬分類(lèi)：北京共濺薄膜制備系統(tǒng)
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發(fā)布日期：2019/05/09
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詳細(xì)介紹

CKG-60三靶共濺薄膜制備系統(tǒng)

CKG-60三靶共濺薄膜制備系統(tǒng)

◆設(shè)備用途

金屬和合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等電介質(zhì)薄膜、新型功能薄膜、多層薄膜、多元彌散復(fù)合膜的制備。

◆主要配置及特點(diǎn)

主要由不銹鋼真空室，真空及測(cè)量系統(tǒng)，供氣及流量控制系統(tǒng)，多樣品轉(zhuǎn)臺(tái)（加熱、水冷、多層膜），膜厚儀，磁控靶（RF&DC），射頻、直流電源，電氣控制系統(tǒng)以及水冷系統(tǒng)等組成。采用磁控濺射方式沉積薄膜，可用于制備半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜、磁性材料薄膜，以及氧化物、氮化物薄膜等電介質(zhì)薄膜。工作方式包括單靶獨(dú)立濺射沉積、程控輪流分層濺射沉積多層膜、三靶共濺射沉積彌散復(fù)合膜等。本系統(tǒng)所制備薄膜的均勻性較好（±5%）。

◆技術(shù)指標(biāo)

1）真空系統(tǒng)采用機(jī)械泵－渦輪分子泵復(fù)合系統(tǒng)，30分鐘真空度可達(dá)到6×10-4 Pa；

2）經(jīng)48小時(shí)連續(xù)烘烤（120℃），磁控濺射室優(yōu)于8×10-6 Pa；

3）濺射功率：＜3000W；

4）基片加熱溫度：室溫～800℃；

5）基片最高偏壓：－200V；

6）膜厚不均勻性：±5%范圍內(nèi)；

7）靶片直徑：76mm；

8）樣品直徑：76mm。