磁控濺射系統(tǒng)經(jīng)過改進(jìn)堆積率和增大批量，體系產(chǎn)值最高能夠添加 400% 靶材利用率最高能夠添加 300%、減少維護(hù)并改進(jìn)整體擁有本錢 專為提高薄膜均勻度而優(yōu)化的刀具幾何結(jié)構(gòu)與固有的 IBS 加工技術(shù)優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，可使資料均勻度提升 50%。SPECTOR-HT高級(jí)離子束濺鍍體系，不只能夠生產(chǎn)出質(zhì)量最佳的光學(xué)薄膜，還能夠提升生產(chǎn)率和產(chǎn)值。SPECTOR-HT 體系以 SPECTOR？ 離子束體系系列久經(jīng)考驗(yàn)的優(yōu)異性能為根底，可完成極佳的層厚度操控和更超卓的工藝穩(wěn)定性，而且光損耗在業(yè)內(nèi)已發(fā)布的數(shù)據(jù)中也屬最低。

離子束濺射(IBS)，也稱為離子束堆積(IBD)，是一種薄膜堆積工藝，運(yùn)用離子源，將靶材（金屬或電介質(zhì)）堆積或?yàn)R射到基片上，以形成金屬或電介質(zhì)膜。因?yàn)殡x子束是等能的（離子具有相等的能量），且高度準(zhǔn)直，所以與其他PVD（物理氣相堆積）技術(shù)比較，其能夠精確地操控厚度，并堆積非常細(xì)密的高質(zhì)量薄膜。

磁控濺射是物理氣相堆積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多資料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于操控、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等長(zhǎng)處。上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是完成了高速、低溫、低損害。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射經(jīng)過在靶陰極外表引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的束縛來提高等離子體密度以添加濺射率。磁控濺射體系的作業(yè)原理是指電子在電場(chǎng)E的效果下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生磕碰，使其電離發(fā)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)效果下加速飛向陰極靶，并以高能量炮擊靶外表，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子堆積在基片上形成薄膜，而發(fā)生的二次電子會(huì)遭到電場(chǎng)和磁場(chǎng)效果，發(fā)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。

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