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濺射鍍膜膜厚均勻性是間接衡量鍍膜工藝的規(guī)范之一,它涉及鍍膜進(jìn)程的各個(gè)方面。因而,制備膜厚均勻性好的薄膜需要建立一個(gè)濺射鍍膜膜厚均勻性歸納規(guī)劃體系,對(duì)濺射鍍膜的各個(gè)方面進(jìn)行分類(lèi)、歸納和總結(jié),找出其內(nèi)在聯(lián)系。磁控濺射包括許多品種。各有不同作業(yè)原理和應(yīng)用目標(biāo)。但有一共同點(diǎn):使用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互效果,使電子在靶表面鄰近成螺旋狀運(yùn)轉(zhuǎn),然后增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)效果下撞向靶面然后濺射出靶材。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,焚燒和濺射很便利。這是由于靶(陰極),等離子體,和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。
磁控濺射是物理氣相堆積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡(jiǎn)略、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
磁控濺射的作業(yè)原理是指電子在電場(chǎng)E的效果下,在飛向基片進(jìn)程中與氬原子產(chǎn)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)效果下加速飛向陰極靶,并以高能量炮擊靶表面,使靶材產(chǎn)生濺射。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上開(kāi)展而來(lái),在靶材外表建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),處理了二極濺射 堆積速率低,等離子體離化率低一級(jí)問(wèn)題,成為現(xiàn)在鍍膜工業(yè)首要辦法之一。
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