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電子束蒸發(fā)源?的簡(jiǎn)介和使用

發(fā)布日期：2019-10-22 作者：點(diǎn)擊：

在真空鍍膜設(shè)備中, 電子束蒸發(fā)源雖遠(yuǎn)較電阻加熱式蒸發(fā)源復(fù)雜, 但因其能蒸鍍難熔材料, 膜層純度高, 而優(yōu)于電阻加熱蒸發(fā)源。

中文名電子束蒸發(fā)源外文名evaporatorwith electron beam

基本內(nèi)容

電子束加熱的蒸鍍?cè)从兄睒屝碗娮訕尯蚭型電子槍兩種(也有環(huán)行)、由電子發(fā)射源(通常是熱的鎢陰極作電子源)、電子加快電源、柑禍、磁場(chǎng)線圈、冷卻水套等組成。膜料放入水冷增禍中，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線圈使電子束聚集和偏轉(zhuǎn)，對(duì)膜料進(jìn)行炮擊和加熱。

電子束蒸發(fā)源

e型電子束蒸發(fā)源所發(fā)射的電子軌道與“e” 類似，故有“e”型束源之稱，簡(jiǎn)稱e 型槍。它主要由發(fā)射體組件( 電子槍) 、偏轉(zhuǎn)磁極靴及電子線圈、水冷坩堝及換位機(jī)構(gòu)、散射電子及離子收集極等部分組成。

使用

電子束蒸發(fā)是將膜材放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使膜材中的原子或分子從外表汽化逸出后入射到基片外表凝結(jié)成膜。

到七十年代中期, 磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源蒸鍍提高了淀積率, 并克服了環(huán)形槍蒸鍍時(shí)易發(fā)生氣體放電、功率較小, 以及直槍式蒸發(fā)源占用空間大, x 射線二次電子損傷大的缺點(diǎn), 而取得廣泛的使用, 特別在集成電路工藝中使用, 達(dá)到了很好的效果。

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