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離子束濺射系統(tǒng)

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電子束蒸發(fā)?基本內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)

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電子束蒸發(fā)?基本內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)

發(fā)布日期:2019-10-31 作者: 點(diǎn)擊:

電子束蒸發(fā)

  電子束蒸發(fā)是一種基于鎢絲蒸發(fā)的真空蒸發(fā)方式。 電子束是高速電子流。 電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)中成熟且主要的鍍膜方法。 解決了在電阻加熱模式下膜材料和蒸發(fā)源材料直接接觸的問(wèn)題。  

  中文名稱(chēng)電子束蒸發(fā)分類(lèi)真空蒸發(fā)法

  基本內(nèi)容

  電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)涂覆的方法,該方法是在真空下通過(guò)電子束直接加熱和蒸發(fā)材料以蒸發(fā)掉蒸發(fā)的材料,然后將其傳輸?shù)交迳弦栽诨迳闲纬赡さ姆椒ā?nbsp; 。 在電子束加熱裝置中,被加熱的物質(zhì)被置于水冷的柑橘渦流中,以防止蒸發(fā)材料與柑橘壁反應(yīng)而影響膜的質(zhì)量。 因此,電子束蒸發(fā)沉積方法可以在相同的同時(shí)制備高純度的膜。可以在蒸發(fā)沉積裝置中放置多個(gè)災(zāi)難,以同時(shí)或分別蒸發(fā)并沉積多種不同的物質(zhì)。 任何材料都可以通過(guò)電子束蒸發(fā)來(lái)蒸發(fā),并且不同的材料需要不同類(lèi)型的耗盡才能達(dá)到所需的蒸發(fā)速率。

電子束蒸發(fā)

  優(yōu)點(diǎn)

  電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,這比常規(guī)電阻加熱,高束電流密度和高蒸發(fā)速率更有效。 制得的薄膜純度高,質(zhì)量好,厚度可精確控制。 可廣泛用于高純度的制備中。 各種光學(xué)材料的薄膜,例如薄膜和導(dǎo)電玻璃。  

  電子束蒸發(fā)的特征在于在靶三維結(jié)構(gòu)的任一側(cè)上很少或沒(méi)有覆蓋,通常僅沉積在靶表面上。 這是電子束蒸發(fā)和濺射之間的區(qū)別。

  應(yīng)用

  在半導(dǎo)體研究行業(yè)中很常見(jiàn)。 加速的電子能量用于撞擊材料靶,從而材料靶蒸發(fā)并上升。 最終沉積到目標(biāo)上。

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